Samsung Wide I/O arayüzlü Mobil DRAM geliştiriyor

____________________________________________________________________

, wide I/O arayüzüne (wide I/O interface) sahip, 50 nanometre teknolojisine sahip yüksek hızlı mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu. Bu yeni DRAM akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi taşınabilir cihazlarda kullanılacak.

Samsung, geniş I/O mobil DRAM yongaları.

Samsung, geniş I/O mobil DRAM yongaları.

Bu yeni 1Gb (1Gb / 8 bit = 128 MB) wide I/O mobile DRAM saniyede 12.8 GB veri iletebiliyor. Bu da şu anki 1.6 GB/s hızındaki mobile DDR DRAM’lerin sekiz katı kadar yüksek hıza sahip olduğunu gösteriyor. Ayrıca 3.2 GB/s hızdaki LPDDR2 DRAM’lerden de dört kat hızlı oluyor. Güç tüketimi ise şu anki mobile DDR DRAM’lerden %87’ye kadar daha az imiş. Gerçi 128MB artık çoğu akıllı için yeterli olmayacağından bir telefondan bunlardan birkaç tane bulundurarak kullanılırsa güç tüketimi yine aynı noktaya gelebilir.

Veri iletişim hızını arttırmak için Samsung’un wide I/O DRAM belleği, veri giriş ve çıkışı için 512 pine sahipmiş ki öncekilerde bu en fazla 32 pin olurdu. Tabi diğer komut ve sinyal gönderme ve güç ayarlama vs. diğer amaçlar için kullanılan pinlerle birlikte bu DRAM’deki pin sayısı 1,200’e ulaşıyormuş!

Bu DRAM’in ardından Samsung, 2013’te de 20nm teknolojili 4Gb geniş I/O mobil DRAM sunmayı planlıyormuş.

Valla şu an benim 2002 model anakartlı bilgisayarımın bellek 2.7GB iken on yıl sonrasında çıkan bir cep telefonunda bu hızın beş katı bant genişliğine sahip bellek bulunması bilgisayarın artık tam çöplük olduğunu kanıtlıyor. 😀

Kaynak.