Samsung Wide I/O arayüzlü Mobil DRAM geliştiriyor

____________________________________________________________________

Samsung, wide I/O arayüzüne (wide I/O interface) sahip, 50 nanometre teknolojisine sahip yüksek hızlı mobil DRAM geliştirdiğini duyurdu. Bu yeni DRAM akıllı telefonlar ve tablet bilgisayarlar gibi taşınabilir cihazlarda kullanılacak.

Bu yeni 1Gb (1Gb / 8 bit = 128 MB) wide I/O mobile DRAM saniyede 12.8 GB veri iletebiliyor. Bu da ÅŸu anki 1.6 GB/s hızındaki mobile DDR DRAM’lerin sekiz katı kadar yüksek hıza sahip olduÄŸunu gösteriyor. Ayrıca 3.2 GB/s hızdaki LPDDR2 DRAM’lerden de dört kat hızlı oluyor. Güç tüketimi ise ÅŸu anki mobile DDR DRAM’lerden %87’ye kadar daha az imiÅŸ. Gerçi 128MB artık çoÄŸu akıllı telefon için yeterli olmayacağından bir telefondan bunlardan birkaç tane bulundurarak kullanılırsa güç tüketimi yine aynı noktaya gelebilir.

Veri iletiÅŸim hızını arttırmak için Samsung’un wide I/O DRAM belleÄŸi, veri giriÅŸ ve çıkışı için 512 pine sahipmiÅŸ ki öncekilerde bu en fazla 32 pin olurdu. Tabi diÄŸer komut ve sinyal gönderme ve güç ayarlama vs. diÄŸer amaçlar için kullanılan pinlerle birlikte bu DRAM’deki pin sayısı 1,200’e ulaşıyormuÅŸ!

Bu DRAM’in ardından Samsung, 2013’te de 20nm teknolojili 4Gb geniÅŸ I/O mobil DRAM sunmayı planlıyormuÅŸ.

Valla şu an benim 2002 model anakartlı bilgisayarımın bellek bant genişliği 2.7GB iken on yıl sonrasında çıkan bir cep telefonunda bu hızın beş katı bant genişliğine sahip bellek bulunması bilgisayarın artık tam çöplük olduğunu kanıtlıyor. 😀

Kaynak.